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Teile aus Siliziumkarbid (SSiC, RBSiC, SSiC+P, SiC)

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Kein druckgesintertes Siliziumkarbid (SSiC)

Drucklos gesintertes Siliziumkarbid wird durch druckloses Sintern von Submikron-Siliziumkarbidpulver in einem Vakuumsinterofen bei 2100 °C gesintert. Aufgrund ihrer einphasigen Feinkornstruktur, die bei hohen Temperaturen eine hohe Festigkeit beibehält, machen die hohe Reinheit und hohe Dichte von SSiC-Produkten sie sehr korrosionsbeständig, und die hervorragenden Oberflächenbehandlungseigenschaften machen sie ideal für Anwendungen in den Oberflächen von Gleitringdichtungen, Ventil, Lager und Erdöl, Chemie, Luft- und Raumfahrt, Automobil und andere Bereiche.

Funktionen

Nach dem Ätzen des drucklos gesinterten Siliziumkarbidmaterials zeigt das Phasendiagramm der Kristalle unter einem optischen Mikroskop mit 200-facher Vergrößerung, dass die Verteilung und Größe der Kristalle gleichmäßig sind und die Größe des größten Kristalls 10 µm nicht überschreitet.

Kein druckgesintertes Siliziumkarbid

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