Drucklos gesintertes Siliziumkarbid wird durch druckloses Sintern von Submikron-Siliziumkarbidpulver in einem Vakuumsinterofen bei 2100 °C gesintert. Aufgrund ihrer einphasigen Feinkornstruktur, die bei hohen Temperaturen eine hohe Festigkeit beibehält, machen die hohe Reinheit und hohe Dichte von SSiC-Produkten sie sehr korrosionsbeständig, und die hervorragenden Oberflächenbehandlungseigenschaften machen sie ideal für Anwendungen in den Oberflächen von Gleitringdichtungen, Ventil, Lager und Erdöl, Chemie, Luft- und Raumfahrt, Automobil und andere Bereiche.
Nach dem Ätzen des drucklos gesinterten Siliziumkarbidmaterials zeigt das Phasendiagramm der Kristalle unter einem optischen Mikroskop mit 200-facher Vergrößerung, dass die Verteilung und Größe der Kristalle gleichmäßig sind und die Größe des größten Kristalls 10 µm nicht überschreitet.